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半导体器件物理

杨振宇青岛大学

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绪论

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第2章能带和热平衡载流子浓度

2.1 半导体材料与基本晶体结构

2.2 共价键与能带

2.3 本征载流子浓度

2.4 施主与受主

3

第3章载流子输运现象

3.1 载流子的漂移

3.2 载流子的扩散

3.3 产生与复合

3.4 连续性方程

3.5 热电子发射+遂穿+空间电荷效应

4

第4章 p-n结

4.1 热平衡状态

4.3 耗尽电容

4.4 电流-电压特性

4.5 电荷存储与瞬态响应

5

第5章双极性晶体管及其相关器件

5.1 双极性晶体管的工作原理

5.2 双极性晶体管的静态特性

5.3 双极性晶体管的频率响应与开关特性

5.3.1 BJT的频率响应与开关特性1

5.3.2 BJT的频率响应与开关特性2

5.3.3 BJT的评率响应与开关特性3

5.4 异质结双极型晶体管

5.5 可控硅器件及相关功率器件

6

第6章 MOS电容器及MOSFET

6.1 理想的MOS电容器

6.2 SiO2-Si MOS电容器

6.3 MOS电容器中载流子的输运

6.4 电荷耦合器件

6.5 MOSFET基本原理

7

第7章先进的MOSFET及相关器件

7.1 MOSFET按比例缩小

8

第8章 MESFET及相关器件

8.1 金属-半导体接触

8.2 金半场效应晶体管（MESFET）

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