杨振宇 教授
单位:青岛大学
部门:电子信息学院
职位:无
提供学校: | 青岛大学 |
院系: | 电子信息学院 |
专业: | 微电子科学与工程 |
课程英文名称: | Physics of Semiconductor Devices |
课程编号: | C18080704003 |
半导体器件是现代半导体工业的基础和核心,是集成电路设计、制造的出发点。随着微电子工业发展进人后摩尔时代,产业的主要升级策源从简单的“缩小尺寸、提高产能”向面向应用的新器件、新工艺、新架构转变。在此过程中,传统器件和新型器件、传统工艺与新型工艺、传统架构与新型架构全面融合,要求所有的微电子学科学生必须具备扎实的半导体器件理论功底,才能具备从事器件研发、电路设计、测试封装等方向科研工作的能力。因此,本课程在本学科课程体系中处于基础核心地位。 本课程以传统的半导体硅器件物理讲解为主,半导体器件物理是对半导体器件,也就是一些特殊的物理结构,比如二极管,MOS管,MES管等,进行的属性研究和改造技巧。具体的讲,半导体器件是基于半导体物理,将其应用在器件领域,达到某种物理属性(通常是电学属性)的具体结构。为了对这些器件结构进行准确的描述和使用,需要对其物理特性进行详细的分析,分析器件工作机理,分析载流子在器件中具体的行为,推导出各个特性指标的表达式,例如电压电流、跨导等。为新型高速/高性能器件与集成电路的研究、设计奠定理论基础。由于课程内容涉及面广、基础性强、难度大,不同章节的内容之间相互衔接紧密,要求学生深人思考所学内容之间的关联性,通过归纳和总结深人理解相关原理和方法的适用范围,并学会利用所学方法或原理解决问题。
教材:《半导体器件物理与工艺》[美]施敏 李明逵 著 苏州大学出版社
参考书:《半导体器件物理》[美] 施敏 伍国珏 西安交通大学出版社
课程章节 | | 文件类型 | | 上传时间 | | 大小 | | 备注 | |
1.1 绪论 |
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2023-03-10 | 157.12MB | ||
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2023-03-10 | 323.43MB | |||
2.1 半导体材料与基本晶体结构 |
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2023-03-10 | 1.84GB | ||
2.2 共价键与能带 |
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2023-03-10 | 1.78GB | ||
2.3 本征载流子浓度 |
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2023-03-04 | 976.07MB | ||
2.4 施主与受主 |
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2023-03-10 | 938.08MB | ||
3.1 载流子的漂移 |
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2023-03-10 | 1.98GB | ||
3.2 载流子的扩散 |
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2023-03-07 | 1.94GB | ||
3.3 产生与复合 |
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2023-03-10 | 1.79GB | ||
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2023-03-10 | 1.80GB | |||
3.4 连续性方程 |
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2023-03-10 | 1.66GB | ||
3.5 热电子发射+遂穿+空间电荷效应 |
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2023-03-10 | 1.94GB | ||
4.1 热平衡状态 |
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2023-03-16 | 1.71GB | ||
4.2 耗尽区 |
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2023-03-21 | 1.95GB | ||
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2023-03-21 | 1.72GB | |||
4.3 耗尽电容 |
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2023-03-21 | 1.81GB | ||
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2023-03-21 | 1.72GB | |||
4.4 电流-电压特性 |
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2023-03-29 | 1.86GB | ||
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2023-03-29 | 1.80GB | |||
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2023-03-29 | 1.64GB | |||
4.5 电荷存储与瞬态响应 |
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2023-03-30 | 1.62GB | ||
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4.6 结击穿 |
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2023-03-30 | 1.64GB | ||
4.7 异质结 |
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2023-04-10 | 1.70GB | ||
5.1 双极性晶体管的工作原理 |
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5.2 双极性晶体管的静态特性 |
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5.2.1 BJT的静态特性1 |
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5.2.4 BJT的静态特性4 |
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2022-04-29 | 1.29GB | ||
6.1 理想的MOS电容器 |
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6.1.1 理想的MOS电容器01 |
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7.1 MOSFET按比例缩小 |
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8.1.1 金属-半导体接触01 |
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2022-06-20 | 1.86GB | ||
8.1.2 金属-半导体接触02 |
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2022-09-14 | 1.92GB | ||
8.1.3 金属-半导体接触03 |
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2022-09-07 | 1.10GB | ||
8.2.1 金半场效应晶体管01 |
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2022-06-20 | 1.39GB |