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1.1
半导体的晶格结构和结合性质
1.2
半导体中的电子状态和能带
1.3
半导体中的电子状态和能带
1.4
本征半导体的导电机构 -空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
5
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
5.9
硅的少数载流子寿命与扩散长度
6
6.1
pn节及其能带图
6.2
pn节电流电压特性
6.2.1
非平衡状态下的pn结
6.2.2
理想pn结模型及其电流电压方程
6.2.3
影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素
6.3
pn结电容
6.4
pn结的击穿
6.5
pn结隧道效应
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教学要求：对微电子专业由于在《固态电子学》中有详细讲述，拟不在课堂简单讲授，对非微 电子专业，其内容也是重要的。了解pn结的物理特性以及能带图，掌握pn结接触电势差的计算，理解pn结的电流电压pn结电容的意义和计算，了解pn结的击穿机制和隧道效应
重点、难点：重点：空间电荷区、pn结接触电势差、载流子分布、电流电压特性、结电容、击穿机制、隧道效应；难点：电流电压特性、结电容
实验课、习题课、讨论课等教学形式：理论讲授和习题课
