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个
1.1
半导体的晶格结构和结合性质
1.2
半导体中的电子状态和能带
1.3
半导体中的电子状态和能带
1.4
本征半导体的导电机构 -空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
2.1
硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1
替位式杂质 间隙式杂质
2.1.2
施主杂质、施主能级
2.1.3
受主杂质、受主能级
2.1.4
浅能级杂质电离能的简单计算
2.1.5
杂质的补偿作用
2.1.6
深能级杂质
2.2
Ⅲ-V族化合物中的杂质能级
2.3
缺陷、位错能级
5
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
5.9
硅的少数载流子寿命与扩散长度
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教学要求：根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用；了解缺陷、位错能级的特点和作用。
重点、难点：重点：半导体中的杂质和缺陷能级对半导体特性的影响；难点：杂质电离过程。
实验课、习题课、讨论课等教学形式：理论讲授
