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1.1
半导体的晶格结构和结合性质
1.2
半导体中的电子状态和能带
1.3
半导体中的电子状态和能带
1.4
本征半导体的导电机构 -空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
4
4.1
载流子的漂移运动和迁移率
4.2
载流子的散射
4.3
迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.3.1
平均自由时间和散射概率的关系
4.3.2
电导率、迁移率与平均自由时间的关系
4.3.3
迁移率与杂质和温度的关系
4.4
电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5
强电场下的效应、热载流子
5
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
5.9
硅的少数载流子寿命与扩散长度
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教学要求：半导体的导电性能（即电导率），由载流子浓度和迁移率两个因素来确定，本章主要是研究半导体的迁移率问题。迁移率的大小取决于载流子的散射。通过学习应了解几种主要散射机构的机理、散射几率与杂质浓度及温度的关系，从而明确迁移率、电导率、电阻率与杂质浓度及温度的关系。最后以半导体在强电场下的效应及耿氏效应进行定性解释。
重点、难点：重点：载流子的迁移率与杂质浓度和温度之间的关系；难点：电导率的统计理论
实验课、习题课、讨论课等教学形式：理论讲授和习题课
