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1.1
半导体的晶格结构和结合性质
1.2
半导体中的电子状态和能带
1.3
半导体中的电子状态和能带
1.4
本征半导体的导电机构 -空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
3.1
状态密度
3.2
费米能级和载流子的统计分布
3.2.1
费米分布函数
3.2.2
玻尔兹曼分布函数
3.2.3
导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4
载流子浓度乘积n0p0
3.3
本征半导体的载流子浓度
3.4
杂质半导体的载流子浓度
3.5
一般情况下的载流子统计分布
3.6
简并半导体
5
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
5.9
硅的少数载流子寿命与扩散长度
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教学要求：通过本章的学习，应熟练掌握课本中所阐明的基本概念和各种关系，能顺利导出有关重要基本公式，准确计算在各种不同杂质浓度和温下的费米能级位置和载流子浓度，从而对半导体性质有更深入的理解。
重点、难点：重点：波矢空间的量子态的分布；半导体导带底，价带顶附近的状态密度计算；费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及其物理意义；本征半导体，杂质半导体载流子浓度的计算；难点：半导体导带底，价带顶附近的状态密度计算；费米能级和载流子的统计分布；杂质半导体载流子浓度的计算
实验课、习题课、讨论课等教学形式：理论讲授和习题课
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fei
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