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1.1
半导体的晶格结构和结合性质
1.2
半导体中的电子状态和能带
1.3
半导体中的电子状态和能带
1.3.1
半导体中E(k)与k的关系
1.3.2
半导体中电子的平均速度
1.3.3
半导体中电子的加速度
1.3.4
有效质量的意义
1.4
本征半导体的导电机构 -空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-V族化合物半导体的能带结构
5
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
5.9
硅的少数载流子寿命与扩散长度
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教学要求：要求将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。
重点、难点：重点：掌握半导体的能带理论；难点：能带理论
实验课、习题课、讨论课等教学形式：理论讲授和习题课
