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半导体物理II

薛旭艳青岛大学

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第一章半导体中的电子状态

1.1 半导体的晶体结构

1.2 半导体的电子状态和能带

1.3 半导体中电子的状态和能带

1.4 本征半导体的导电机构— 空穴

1.5 回旋共振

1.6 硅和锗的能带结构

1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构

2

第二章半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.2 化合物半导体中的杂质能级

2.3 半导体中的深能级杂质

3

第三章半导体中载流子的统计分布

3.1 状态密度

3.2 费米能级和载流子的统计分布

3.3 本征半导体的载流子浓度

3.4 杂质半导体的载流子浓度

3.5 一般情况下的载流子浓度

3.6 简并半导体

4

第四章半导体的导电性

4.1 载流子的漂移运动和迁移率

4.2 载流子的散射

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

4.5 强电场下的效应、热载流子、多能谷散射、耿氏效应

5

第五章非平衡载流子

5.1 非平衡载流子的注入与复合

5.2 非平衡载流子的寿命

5.3 准费米能级

5.4 复合理论

5.5 陷阱效应

5.6 载流子的扩散运动

5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式

5.8 连续性方程式

6

第六章 pn结

6.1 pn结及其能带图

6.2 pn结电流电压特性

6.3 pn结电容

6.4 pn结击穿

6.5 pn结隧道效应

7

金属和半导体的接触

7.1 金属半导体接触及其能级图

7.2 金属半导体接触整流理论

7.3 少数载流子的注入和欧姆接触

8

半导体表面与MIS结构

8.2 表面电场效应

8.3 MIS结构的C-V特性

8.4 硅-二氧化硅系统的性质

9

半导体异质结构

10

半导体的光学性质和光电与发光现象

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