半导体物理II
薛旭艳 青岛大学
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1
第一章 半导体中的电子状态
1.1
半导体的晶体结构
1.2
半导体的电子状态和能带
1.3
半导体中电子的状态和能带
1.4
本征半导体的导电机构— 空穴
1.5
回旋共振
1.6
硅和锗的能带结构
1.7
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构
2
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1
硅、锗晶体中的杂质能级
2.2
化合物半导体中的杂质能级
2.3
半导体中的深能级杂质
3
第三章 半导体中载流子的统计分布
3.1
状态密度
3.2
费米能级和载流子的统计分布
3.3
本征半导体的载流子浓度
3.4
杂质半导体的载流子浓度
3.5
一般情况下的载流子浓度
3.6
简并半导体
4
第四章 半导体的导电性
4.1
载流子的漂移运动和迁移率
4.2
载流子的散射
4.3
迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4
电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5
强电场下的效应、热载流子、多能谷散射、耿氏效应
5
第五章 非平衡载流子
5.1
非平衡载流子的注入与复合
5.2
非平衡载流子的寿命
5.3
准费米能级
5.4
复合理论
5.5
陷阱效应
5.6
载流子的扩散运动
5.7
载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式
5.8
连续性方程式
6
第六章 pn结
6.1
pn结及其能带图
6.2
pn结电流电压特性
6.3
pn结电容
6.4
pn结击穿
6.5
pn结隧道效应
7
金属和半导体的接触
7.1
金属半导体接触及其能级图
7.2
金属半导体接触整流理论
7.3
少数载流子的注入和欧姆接触
8
半导体表面与MIS结构
8.1
表面态
8.2
表面电场效应
8.3
MIS结构的C-V特性
8.4
硅-二氧化硅系统的性质
9
半导体异质结构
10
半导体的光学性质和光电与发光现象
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